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中析检测

单晶硅检测

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咨询量:  
更新时间:2025-03-15  /
咨询工程师

检测样品:单晶硅

检测项目:外观检测,切片检测,电阻率检测,氧含量检测,纯度检测,同心圆检测等。

检测周期:7-15个工作日(参考周期)

检测标准参考

DIN 50434-1986半导体材料的检验; 单晶硅试样的(111) 和(100) 蚀面上晶体结构缺陷的测定

DIN 50443-1-1988半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性

DIN 50443-2-1994半导体工艺材料检验;用X射线粘扑法证明半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性.Ⅲ-V-连接半导体

DIN 50453-1-1990半导体技术用材料的检验;腐蚀剂腐蚀率的测定;单晶硅,重量法

GB/T 6492-1986航天用标准太阳电池

GB/T 6494-2017航天用太阳电池电性能测试方法

GB/T 6496-2017航天用太阳电池标定方法

GB/T 14015-1992硅-兰宝石外延片

GB/T 20176-2006表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

GB/T 29054-2019太阳能电池用铸造多晶硅块

GB/T 29055-2019太阳能电池用多晶硅片

GB/T 29057-2012用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T 29195-2012地面用晶体硅太阳电池总规范

GB/T 32277-2015硅的仪器中子活化分析测试方法

GB/T 32649-2016光伏用高纯石英砂

GB/T 32651-2016采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

GB/T 33236-2016多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

GB/T 38190-2019航天用太阳电池电子辐照试验方法

GOST 19658-1981单晶硅锭 技术条件

GOST 24392-1980单晶硅和单晶锗 电阻率的四探针测定法

检测优势

1、集体所有制单位,主要以研发,检测,分析为主。经验丰富,服务面广。

2、支持上门取样,寄样检测。

3、所有的样品初检都是免费的。

4、口碑好,主要服务于政府单位、事业单位、大学科研单位,企业以及部分个人客户。

5、实验室科研团队强大,实验室仪器先进并且齐全。

6、实验室分支比较多,多家分支实验室。

7、检测周期短、费用低、数据科学准确。

8、提供完善的售后服务。

9、中析研究所出具的检测报告支持扫码查询真伪,报告认可。

10、所有实验都会签订保密协议,注重保护客户隐私。

第三方检测报告作用

1、销售使用。(检测报告用于销售产品,让客户了解产品)

2、研发使用。(研发新的产品,缩短研发周期,降低研发成本)

3、投标竞标使用。(检测报告用于投标竞标使用,评分较高)

4、改善产品使用。(通过检测数据来改善自己产品的质量,提高产品质量)

5、逆向生产,模拟生产。(通过检测成分,实现逆向生产)

6、科研项目,高校论文。(代做高校实验,检测数据用于科研项目或者论文使用)

检测流程

1、沟通检测产品、项目、需求。

2、邮递寄样或者上门取样。

3、确定报价,定制专属方案。

4、签订合同和保密协议

5、开始规划化实验

6、实验结束后,出具原始数据检测报告。

6、邮寄检测报告

7、增值服务

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